普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。

功率半导体测试高电流源1000A脉冲电源特点

50μs-500μs的脉冲宽度连续可调

15μs超快上升沿（典型时间）

两路同步测量电压0.3mV-18V

0.1%测试精度

单台5A-1000A程控输出，可多台并联最高达6000A

支持过流保护、异常开路保护

可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥

可适用于大电流传感器（阶跃）响应时间测试；详询

技术指标
电流脉宽  50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间 典型时间15us
输出脉冲电流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量   2独立通道
DUT电压测量   远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
DUT电压测量   0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT电压测量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT电压测量   0~18V量程，精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流，如3000A
支持输出极性反转
触发信号 支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸：长516x宽250x高160mm
 

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块