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三星扩产计划暂缓,1y纳米成本无法控制

发布日期:2018-07-03 来源: 互联网 查看次数: 120 

核心提示:6月19日报道,市场传出存储器龙头韩国三星电子暂缓DRAM扩产消息。据业界消息,三星因为制程转进1y纳米后无法有效降低单位生产成本,原本第三季于韩国平泽厂东翼大楼2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划已暂缓。法人预期下半年进入旺季后,DRAM价格持续看涨到年底。数据显示,2017年存储器市场增长率达到60,首次超越逻辑电路,成为半导体大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率。DR

  6月19日报道,市场传出存储器龙头韩国三星电子暂缓DRAM扩产消息。据业界消息,三星因为制程转进1y纳米后无法有效降低单位生产成本,原本第三季于韩国平泽厂东翼大楼2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划已暂缓。法人预期下半年进入旺季后,DRAM价格持续看涨到年底。

  数据显示,2017年全球存储器市场增长率达到60%,首次超越逻辑电路,成为半导体**大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率**。DRAM消费产品中,移动终端、服务器和PC依旧占据头三名,合计占比86%。

  机构认为,随着5G商用逼近以及云计算、IDC业务的拉动,移动终端、服务器和PC侧的消费需求增长明显。但由于光刻技术接近瓶颈,1y纳米微缩难度超预期等问题致使DRAM新增产能进度缓慢。此次三星部分扩产计划暂缓或将增加DRAM供应紧张预期。业内预计DRAM存储器进入三季度有望量价齐升,价格或持续看涨到年底,国内产业链公司有望受益。

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