武汉普赛斯仪表有限公司

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的##工具之一是半导体分立器件静态测试系统，普赛斯半导体分立器件静态测试仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。 详询

特点和优势：
 
单台Z大3500V输出；
 
单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；
 
15us的超快电流上升沿；
 
同步测量；
 
国标全指标的自动化测试；详询一八一四零六六三四七六

系统指标

项目		参数
集电极-发射极	Z大电压.	3500V
	Z大电流	6000A
	精度	0.10%
	大电压上升沿	典型值5ms
	大电流上升沿	典型值15us
	大电流脉宽	50us~500us
	漏电流测试量程	1nA~100mA
栅极-发射极	Z大电压	300V
	Z大电流	1A(直流)/10A(脉冲)
	精度	0.05%
	Z小电压分辨率	30uV
	Z小电流分辨率	10pA
电容测试	典型精度	0.5%
	频率范围	10Hz~1MHz
	电容值范围	0.01pF~9.9999F
温控	范围	25℃~150℃
	精度	±1℃

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
 
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
 
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
 
输入电容、输出电容、反向传输电容   

续流二极管压降Vf
 
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等


目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出####优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在3500V、1000A以上量程及测试性能均处于####优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。更多有关半导体分立器件静态测试仪认准普赛斯仪表咨询，详询一八一四零六六三四七六；